Перевірка кривої струни IV може надати таку інформацію:
1. Вимірювання напруги холостого ходу (Voc) і струму короткого замикання (Isc).
2. Вимірювання максимальної потужності напруги (Vmpp), струму (Impp) і максимальної потужності (Pmax).
3. Вимірювання продуктивності струн.
4. Вимірювання коефіцієнта заповнення модуля/рядка.
5. Виявлення дефектів модуля/рядка або проблем із затіненням.
Перед початком випробування кривої IV необхідно перевірити пристрій для випробування кривої IV, щоб переконатися, що він відповідає напрузі та струму ланцюга, що перевіряється. Перевірка вольтамперної кривої є прийнятною альтернативою для визначення напруги холостого ходу (Voc) і струму короткого замикання (Isc). Якщо виконується тест на IV криву, окремі тести Voc та Isc не потрібні.
Струну, що тестується, слід ізольувати та підключити до пристрою для вимірювання кривої IV. Якщо метою тесту IV кривої є виключно отримання значень для Voc та Isc, тоді немає вимоги вимірювати опромінення (або температуру клітини).
Враховуючи відповідні умови опромінення, випробування IV кривої забезпечує засіб для оцінки того, що продуктивність фотоелектричної ланцюга/модуля відповідає номінальним характеристикам (за паспортною табличкою). Вимірювання продуктивності фотоелектричної ланцюга та ґрати слід проводити за стабільних умов опромінення щонайменше 400 Вт/м2, виміряних у площині ґрати. Якщо вимірювання призначені для посилання на STC (метою є обчислення номінальної потужності модулів/матриці за паспортною табличкою), випромінювання має становити щонайменше 800 Вт/м2 відповідно до стандарту IEC60904-1 IEC 61829. (на додаток до пунктів, зазначених вище) щодо вимог до обладнання для перевірки, процедури перевірки, оцінки, мінімальних умов навколишнього середовища та звітності, необхідних для проведення випробувань IV кривої поза приміщенням.